Цікаво про пам'ять: Що таке Rank або Ранк у модулів оперативної пам'яті?
Стосовно сучасних 64-бітних модулів пам'яті це число означає кількість наборів мікросхем, розрядність кожного з якого становить в сумі 64 біта (72 біта, якщо є підтримка ECC), підключених до керуючої лінії Chip Select (вибір мікросхеми).
Пояснюючи дуже грубо, DUAL RANK модулі - це два логічних модуля, розпаяних на одному фізичному і використання по черзі одним і тим же фізичним каналом. QUAD RANK модуль - те ж саме, але вже в чотириразовому масштабі. Бувають навіть восьмиранкові модулі.
Навіщо і кому це потрібно? Виключно в серверах і потужних робочих станціях, для досягнення максимального обсягу оперативної пам'яті при обмеженій кількості слотів. При цьому сумарна кількість цих самих rank на канал також обмежена (іноді обмеження залежить від швидкості), тому, за інших рівних умов, DUAL RANK модуль вигідніше QUAD RANK, оскільки створює менше навантаження на чіпсет.
Дізнатися цей параметр можна з документації на модуль пам'яті у виробника, наприклад у Kingston чисто рангів легко визначити по буквах однієї з трьох букв в середині маркування: S(Single - одногоранкова), D(Dual - двохранкові), Q(Quad - четириранкові).
Наприклад на модулях Kingston (позначення взято в лапки):
KVR16LR11"S"4L/8
KVR16R11"D"8/8
KVR13LR9"Q"8/16
"Кількість Ранків (RANKS)"
Кількість Ранків модуля оперативної пам'яті. Ранк - область пам'яті, створена кількома або всіма чіпами модуля пам'яті і має ширину 64 біта (72 біта, якщо є підтримка ECC). Залежно від конструкції модуль може містити один, два або чотири ранка. Сучасні серверні материнські плати мають обмеження на сумарну кількість Ранків пам'яті, тобто, наприклад, якщо максимально може бути встановлено вісім ранків і поставлено чотири дворанкових модуля, то у вільні слоти вже не можна встановити додаткові модулі, тому що це призведе до перевищення ліміту. З цієї причини одноранкві модулі мають більш високу вартість, ніж дво- і четириранкові.
Інші важливі позначення та поняття:
"CL"
CAS Latency, CAS - це кількість тактів від моменту запиту даних до їх зчитування з модуля пам'яті. Одна з найважливіших характеристик модуля пам'яті, яка визначає її швидкодію. Чим менше значення CL, тим швидше працює пам'ять.
"tRAS"
Activate to Precharge Delay - мінімальна кількість циклів між командою активації (RAS) і командою підзарядки (Precharge) або закриття одного і того ж банку пам'яті.
"tRCD"
RAS to CAS Delay - затримка між сигналами, що визначають адресу рядки і адреса стовпця.
"tRP"
Row Precharge Delay - параметр, що визначає час повторної видачі (період накопичення заряду, підзаряд) сигналу RAS, тобто час, через яке контролер пам'яті буде здатний знову видати сигнал ініціалізації адреси рядка.
"Буферизована пам'ять (Registered)":
Наявність на модулі пам'яті спеціальних регістрів (буфера), які відносно швидко зберігають дані, що надійшли і знижують навантаження на систему синхронізації, звільняючи контролер пам'яті. Наявність буфера між контролером і чіпами пам'яті призводить до утворення додаткової затримки в один такт при виконанні операцій, тобто більш висока надійність досягається за рахунок незначного падіння швидкодії. Модулі пам'яті з регістрами мають високу вартість і використовуються в основному в серверах. Слід мати на увазі, що буферизована і небуферизована пам'ять несумісні, тобто не можуть одночасно використовуватися в одній системі.
"Кількість контактів (від 144 до 244)"
Кількість контактних майданчиків, розташованих на модулі пам'яті. Кількість контактів в слоті для оперативної пам'яті на материнській платі має збігатися з кількістю контактів на модулі. Слід також мати на увазі, що крім однакової кількості контактів повинні збігатися і "ключі" (спеціальні вирізи на модулі, що перешкоджають неправильного встановлення).
"Кількість модулів у комплекті"
Кількість модулів пам'яті, що продаються в наборі. Крім одиночних планок часто зустрічаються комплекти по два, чотири, шість, вісім модулів з однаковими характеристиками, підібраних для роботи в парі (двоканальному режимі). Використання двоканального режиму призводить до значного збільшення пропускної здатності, а, отже, до збільшення швидкості роботи додатків. Слід зазначити, що навіть два модуля з однаковими характеристиками одного виробника, придбані окремо, можуть не працювати в двоканальному режимі, тому, якщо ваша материнська плата підтримує двоканальний режим роботи пам'яті і для вас важлива велика швидкість роботи ігрових і графічних додатків, слід звернути увагу саме на комплекти з декількох модулів.
"Кількість чипів кожного модуля (від 1 до 72)"
Кількість чіпів на одному модулі пам'яті. Мікросхеми можуть розташовуватися як з одного, так і з обох сторін плати модуля.
"Напруга живлення"
Напруга, необхідна для живлення модуля оперативної пам'яті. Кожен модуль розрахований на певне значення напруги, тому при виборі слід переконатися, що ваша материнська плата підтримує необхідну напругу.
"Низькопрофільна пам'ять (Low Profile)"
Модуль пам'яті, який має зменшену висоту в порівнянні зі стандартним розміром, може бути встановлений в серверних корпусах невеликої висоти.
"Обсяг одного модуля (від 0.03125 до 32.0 Гб)"
Обсяг пам'яті одного модуля.
Сумарний обсяг пам'яті системи розраховується шляхом додавання обсягів пам'яті встановлених модулів. Для роботи в інтернеті і офісних програмах досить 2 Гб. Для комфортної роботи графічних редакторів і сучасних ігор необхідно мінімум 4 Гб оперативної пам'яті.
"Підтримка ECC"
Підтримка Error Checking and Correction - алгоритму, що дозволяє не тільки виявляти, але і виправляти випадкові помилки (не більше одного біта в байті), що виникають в процесі передачі даних. Технологію ECC підтримують деякі материнські плати для робочих станцій і практично всі серверні. Модулі пам'яті з ECC мають більш високу вартість, що не підтримують цей алгоритм.
"Пропускна здатність модуля пам'яті;
Пропускна здатність модуля пам'яті - кількість переданої або одержуваної інформації за одну секунду. Значення даного параметра безпосередньо залежить від тактової частоти пам'яті і розраховується множенням тактової частоти на ширину шини. Чим вище пропускна здатність, тим швидше працює пам'ять і тим вище вартість модуля (при збігу інших характеристик).
"Радіатор".
Наявність спеціальних металевих пластин, закріплених на мікросхемах пам'яті для поліпшення тепловіддачі. Як правило, радіатори встановлюють на модулі пам'яті, розраховані на роботу при високій частоті.
"Сумісність"
Моделі ПК або ноутбуків, для яких призначений модуль пам'яті. Крім модулів широкого застосування деякі виробники випускають пам'ять для певних моделей комп'ютерів.
"Тактова частота"
Максимальна частота системного генератора, по якій синхронізуються процеси прийому і передачі даних. Для пам'яті типу DDR, DDR2 і DDR3 вказується подвоєне значення тактової частоти, тому що за один такт виконується дві операції з даними. Чим вище тактова частота, тим більше операцій здійснюється в одиницю часу, що дозволяє більш стабільно і швидко працювати комп'ютерним іграм та іншим програмам. За інших однакових характеристиках пам'ять з більш високою тактовою частотою має більш високу вартість.
"Тип оперативної пам'яті"
Тип оперативної пам'яті. Тип визначає внутрішню структуру і основні характеристики пам'яті. На сьогоднішній день існує п'ять основних типів оперативної пам'яті: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) - синхронна динамічна пам'ять з випадковим доступом. Перевагою, в порівнянні з пам'яттю попередніх поколінь, є наявність синхронізації з системним генератором, що дозволяє контролеру пам'яті точно знати час готовності даних, завдяки чому тимчасові затримки в процесі циклів очікування зменшуються, тому що дані можуть бути доступні під час кожного такту таймера. Раніше широко використовувалася в комп'ютерах, але зараз практично повністю витіснена DDR, DDR2 і DDR3.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - синхронна динамічна пам'ять з випадковим доступом і подвоєною швидкістю передачі даних. Основною перевагою DDR SDRAM перед SDRAM є те, що за один такт системного генератора може здійснюватися дві операції з даними, що призводить до збільшення вдвічі пікової пропускної спроможності при роботі на тій же частоті.
DDR2 SDRAM - покоління пам'яті, наступне за DDR. Принцип функціонування аналогічний що використовується в DDR. Відмінність полягає в можливості вибірки 4-х біт даних за один такт (для DDR здійснюється 2-х бітна вибірка), а також в більш низькому енергоспоживанні модулів пам'яті, меншому тепловиділенні і збільшенні робочої частоти.
DDR3 SDRAM - наступне покоління після DDR2 SDRAM, вона використовує ту ж технологію "подвоєння частоти". Основні відмінності від DDR2 - здатність працювати на більш високій частоті, і менше енергоспоживання.
У модулях DDR3 використовуються "ключі" (орієнтують прорізи), що відрізняються від "ключів" DDR2, що робить їх несумісними зі старими слотами.
DDR3L і LPDDR3 - стандарти пам'яті DDR3 зі зниженим енергоспоживанням. Напруга харчування у DDR3L знижено до 1.35 В. Напруга LPDDR3 - 1.2 В. Для порівняння, у "звичайних" модулів DDR3 напруга живлення становить 1.5 В. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) - синхронна динамічна пам'ять, розроблена компанією Rambus. Основними відмінностями від DDR-пам'яті є збільшення тактової частоти за рахунок зменшення розрядності шини і одночасна передача номера рядка і стовпчика комірки при зверненні до пам'яті. При трохи більшої продуктивності RDRAM була істотно дорожче DDR, що призвело до практично повного витіснення цього типу пам'яті з ринку.
При виборі типу пам'яті в першу чергу слід орієнтуватися на можливості вашої материнської плати - сумісність з різними модулями пам'яті.
"Упаковка чіпів"
Тип розташування чіпів на модулі пам'яті. Існують модулі з двосторонньою і односторонньою упаковкою. При розташуванні мікросхем з двох сторін модулі мають велику товщину і фізично не можуть бути встановлені в деякі системи.
"Форм-фактор модуля оперативної пам'яті"
Форм-фактор модуля оперативної пам'яті. Форм-фактор - це стандарт, який визначає розміри модуля пам'яті, а також кількість і розташування контактів. Існує кілька фізично несумісних форм-факторів пам'яті: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) - на модулях пам'яті форм-фактора SIMM зазвичай розташовуються 30 або 72 контакту, при цьому кожен контакт має вихід на обидві сторони плати пам'яті.
DIMM (Dual in Line Memory Module) - модулі пам'яті форм-фактора DIMM, як правило, мають 168, 184, 200 або 240 незалежних контактних майданчиків, які розташовані по обидва боки плати пам'яті.
Модулі пам'яті стандарту FB-DIMM призначені для використання в серверах. Механічно вони аналогічні модулів пам'яті DIMM 240-pin, але абсолютно несумісні зі звичайними небуферізованних модулями пам'яті DDR2 DIMM і Registered DDR2 DIMM.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) - більш компактний варіант DIMM, що використовується найчастіше в ноутбуках і Tablet PC. 144-контактні і 200-контактні модулі найбільш популярні SODIMM, але також зустрічаються 72 і 168-контактні.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - ще один варіант DIMM, часто встановлюється в субноутбукі. За розмірами менше, ніж SODIMM і має 60 контактних майданчиків. MicroDIMM доступні в наступних варіантах: 144-контактна SDRAM, 172-контактна DDR і 214-контактна DDR2.
RIMM - форм-фактор для всіх модулів пам'яті типу RIMM (RDRAM), має 184, 168 або 242 контакту.
Форм-фактор модуля оперативної пам'яті повинен збігатися з форм-фактором, підтримуваним материнською платою вашого комп'ютера.
